low-threshold MOS structure

low-threshold MOS structure
žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low-threshold MOS; low-threshold MOS structure vok. MOS-Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП-структура с низким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à basse tension de seuil, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Look at other dictionaries:

  • low-threshold MOS — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • structure MOS à basse tension de seuil — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOS-Struktur mit niedriger Schwellspannung — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • žemo įtampos slenksčio MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à basse tension de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • МОП-структура с низким пороговым напряжением — žemo įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low threshold MOS; low threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit niedriger Schwellspannung, f rus. МОП структура с низким пороговым напряжением, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • Federico Faggin — (né le 1er décembre 1941 à Vicence, en Vénétie) est un physicien et inventeur italien, spécialisé en physique du solide. Pionnier de l informatique et de la technologie des semi conducteurs, il est l un des pères du microprocesseur, et… …   Wikipédia en Français

  • education — /ej oo kay sheuhn/, n. 1. the act or process of imparting or acquiring general knowledge, developing the powers of reasoning and judgment, and generally of preparing oneself or others intellectually for mature life. 2. the act or process of… …   Universalium

  • CMOS — For other uses, see CMOS (disambiguation). CMOS inverter (NOT logic gate) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) (   …   Wikipedia

  • GeSbTe — GeSbTe, or Germanium Antimony Tellurium, also known as GST, is a phase change material from the group of chalcogenide glasses, used in rewritable optical discs and phase change memory applications. Its recrystallization time is down to 20… …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”